增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的制造结构及制造工艺
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的制造结构，包括衬底、外延层、辅助结构层和第二层铝镓氮，所述外延层生长在衬底上，辅助结构层生长在外延层上，在辅助结构层上光刻定义栅区，刻蚀掉非栅区的辅助结构层，在非栅区的外延层和栅区保留的辅助结构层上或单独在非栅区的外延层上生长第二层铝镓氮。通过在高迁移率晶体管栅区引入辅助结构，优化了凹槽栅制造结构和制造工艺，避免了刻蚀厚度难以控制、难以监测刻蚀终点等问题，可靠性更高。本发明还公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的制造工艺。
基本信息
专利标题 ：
增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的制造结构及制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267720A
申请号 ：
CN202111530502.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王梓霖李怡均袁松王敬赵海明钮应喜赵清单卫平
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴慧
优先权 ：
CN202111530502.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/778 H01L21/335 H01L21/28
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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