高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法，HEMT的外延结构包括：衬底，具有相对的第一主面和第二主面；应力补偿层，位于所述衬底的第二主面上，所述应力补偿层包括第一缓冲层；位于所述衬底的第一主面上的第二缓冲层和器件功能层，所述器件功能层位于所述第二缓冲层上，所述器件功能层包括于所述第二缓冲层上外延生长的碳掺杂的GaN高阻层、非掺杂的GaN沟道层和AlGaN势垒层。本发明通过在衬底的背面引入应力补偿层，应力补偿层的引入可以补偿衬底正面的缓冲层中的应力，使得后续器件功能层可以外延生长于几乎平整的平面上；另一方面，所述的制备方法可以缩短高成本的MOCVD工艺时间，有利于提升生产效率。
基本信息
专利标题 ：
高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447099A
申请号 ：
CN202210010095.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄文荣孙明卢敬权
申请人 ：
东莞市中镓半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市企石镇科技工业园
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202210010095.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
