一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管，该外延片包括依次层叠设置的Si衬底，AlN成核层，高阻缓冲层，GaN沟道层，AlN插入层，AlGaN势垒层及GaN盖帽层，所述高阻缓冲层包括依次层叠设置的第一碳掺杂AlGaN层、第二碳掺杂AlGaN层以及第三碳掺杂AlGaN层，所述第一碳掺杂AlGaN层设置在靠近所述AlN成核层的一侧；其中，所述第一碳掺杂AlGaN层的掺杂浓度由高到低均匀渐变，所述第二碳掺杂AlGaN层的掺杂浓度恒定不变，所述第三碳掺杂AlGaN层的掺杂浓度由低到高均匀渐变。与现有技术相比，本发明提出的外延片既能实现高阻又具有很高的晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551593A
申请号 ：
CN202210049690.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡加辉刘春杨金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210049690.4
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 C30B23/02 C30B25/18 C30B29/40 H01L21/335 H01L29/20 H01L29/207
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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