一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管，该外延片包括依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、高阻缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，所述高阻缓冲层包括依次层叠设置的AlN/AlGaN超晶格层、AlGaN块状层、AlN/GaN超晶格层以及GaN块状层，所述AlN/AlGaN超晶格层设置在靠近所述AlN成核层一侧；其中，所述AlN/AlGaN超晶格层中的AlGaN子层和所述AlN/GaN超晶格层中的GaN子层均掺杂有低浓度的Fe，且所述GaN子层的掺杂浓度高于所述AlGaN子层的掺杂浓度。与现有技术相比，本发明提出的外延片既能实现高阻又具有很高的晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551594A
申请号 ：
CN202210051646.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡加辉刘春杨金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210051646.7
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 C30B25/02 C30B29/40 C30B29/68 H01L21/335 H01L29/15 H01L29/207
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
