氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片的制备方法
授权
摘要
本公开提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片的制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次沉积AlN成核层；在所述AlN成核层上生长AlGaN缓冲层，所述AlGaN缓冲层采用间断生长方式依次通入NH3和Al源；在所述AlGaN缓冲层上依次生长高阻缓冲层、沟道层、AlGaN势垒层和P型GaN帽层。通过优化AlGaN缓冲层的生长方式，可以有效缓解由于物理气相沉积技术制作AlN，引入的缺陷和应力积累，从而可以制备出外观和晶体质量极大改善的高迁移率晶体管。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112331563A
申请号 ：
CN202011195139.8
公开（公告）日 ：
2021-02-05
申请日 ：
2020-10-31
授权号 ：
CN112331563B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
王群郭炳磊葛永晖董彬忠李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202011195139.8
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/778 H01L21/205
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-02-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20201031
申请日 : 20201031
2021-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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