高电子迁移率晶体管、场效应晶体管、外延衬底、制造外延衬底...
专利权的终止
摘要
提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1是4×1017cm－3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm－3。
基本信息
专利标题 ：
高电子迁移率晶体管、场效应晶体管、外延衬底、制造外延衬底的方法以及制造Ⅲ族氮化物晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1977366A
申请号 ：
CN200680000383.6
公开（公告）日 ：
2007-06-06
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桥本信木山诚樱田隆田边达也三浦广平宫崎富仁
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200680000383.6
主分类号 ：
H01L21/338
IPC分类号 ：
H01L21/338 H01L29/778 H01L21/205 H01L29/812
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/338
带有肖特基栅的
法律状态
2019-03-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/338
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20101013
终止日期 : 20180303
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20101013
终止日期 : 20180303
2010-10-13 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2007-06-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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