外延半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法

专利权的终止

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摘要

在本发明的外延半导体衬底的制造方法的示范性实施例中，在半导体衬底上方生长吸杂层。在所述吸杂层上方形成外延层，且在所述外延层上可以形成半导体器件。

基本信息

专利标题：

外延半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828836A

申请号：

CN200610006728.0

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-02-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李浩申东石李化成上野哲嗣李承焕

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610006728.0

主分类号：

H01L21/20

IPC分类号：

H01L21/20 H01L21/322 H01L29/02

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/20

半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长

法律状态

2015-04-01 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101603734650
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2006100067280
申请日 : 20060207
授权公告日 : 20110420
终止日期 : 20140207

2011-04-20 ：

授权

2008-04-09 ：

实质审查的生效

2007-01-10 ：

发明专利申请公布说明书更正

更正卷 : 22
号 : 36
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2005.07.29 US 11/192,085

2006-09-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

1、

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2、

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