半导体衬底的形成方法及形成的半导体衬底

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种形成半导体衬底的方法，包括以下步骤：提供初始结构，具有包括第一取向材料的第一器件区域和包括第二取向材料的第二器件区域；在第一取向材料顶部形成第一浓度的晶格调整材料；在第二取向材料顶部形成第二浓度的晶格调整材料；混合第一浓度的晶格调整材料与第一取向材料以形成第一晶格尺寸表面，并混合第二浓度的晶格调整材料与第二取向材料以形成第二晶格尺寸表面；以及在第一晶格尺寸表面顶部形成第一应变半导体层，并在第二晶格尺寸表面顶部形成第二应变半导体层。

基本信息

专利标题：

半导体衬底的形成方法及形成的半导体衬底

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828831A

申请号：

CN200610002745.7

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-01-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朱慧珑B·B·多里斯P·J·欧尔迪吉斯M·莱昂杨敏陈华杰

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200610002745.7

主分类号：

H01L21/20

IPC分类号：

H01L21/20 H01L21/762 H01L21/84 H01L27/12 H01L29/02