在衬底中形成沟槽隔离结构的方法

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摘要

本发明提供了一种在衬底中形成沟槽隔离结构的方法，如下步骤：提供衬底；在衬底上形成阻挡层，所述阻挡层包括交替设置的第一区域及第二区域，第一区域及第二区域沿第一方向延伸，在第一区域设置有多个沿第一方向间隔设置的过孔，过孔暴露出所述衬底；形成覆盖层，覆盖层覆盖阻挡层的表面且填充过孔；图形化覆盖层，在覆盖层上形成开口，开口与阻挡层的第二区域对应；以覆盖层为掩膜，去除第二区域的阻挡层，形成沿第一方向延伸的沟槽，沟槽暴露出所述衬底；去除过孔内的覆盖层，过孔与所述沟槽连通；以第一区域保留的阻挡层为掩膜，去除部分衬底，在衬底上形成沟槽隔离结构。

基本信息

专利标题：

在衬底中形成沟槽隔离结构的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112447582A

申请号：

CN201910805926.0

公开（公告）日：

2021-03-05

申请日：

2019-08-29

授权号：

CN112447582B

授权日：

2022-06-10

发明人：

宛伟

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN201910805926.0

主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/762