具有复合深沟槽隔离结构的集成芯片及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种集成芯片，包括：第一图像感测元件及第二图像感测元件，布置在衬底之上。第一微透镜布置在第一图像感测元件之上，且第二微透镜布置在第二图像感测元件之上。复合深沟槽隔离结构布置在第一图像感测元件与第二图像感测元件之间。复合深沟槽隔离结构包括：下部部分，布置在衬底之上；以及上部部分，布置在下部部分之上。下部部分包含第一材料，且上部部分包含具有比第一材料低的反射率的第二材料。
基本信息
专利标题 ：
具有复合深沟槽隔离结构的集成芯片及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335034A
申请号 ：
CN202110250032.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨哲维李升展曹淳凯施志承陈升照蔡正原
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202110250032.7
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20210308
申请日 : 20210308
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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