集成保护芯片结构
授权
摘要
本实用新型提供一种集成保护芯片结构，其包括N型衬底、双向TVS结构、双向TSS结构、第一表面结构和第二表面结构，双向TVS结构设置在N型衬底上，用于线路保护，包括第一P型杂质和第二P型杂质，第一P型杂质和第二P型杂质分别设置在N型衬底两端，双向TSS结构设置在N型衬底上，用于泄放掉双向TVS结构不能承载的大电流，第一表面结构设置在N型衬底一端，用于芯片封装焊接，第二表面结构设置在N型衬底远离第一表面结构的一端，用于芯片封装焊接。本实用新型的集成保护芯片结构成本低，占用线路板空间小。
基本信息
专利标题 ：
集成保护芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022052283.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
CN212848405U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
刘宗贺吴沛东姚秀珍
申请人 ：
深圳长晶微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
代理机构 ：
深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李捷
优先权 ：
CN202022052283.8
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L29/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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