静电放电保护电路及集成电路芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种静电放电保护电路及集成电路芯片。该静电放电保护电路应用于集成电路芯片中，所述集成电路芯片包括：供电端、信号输入端和接地端，所述静电放电保护电路包括：第一保护电路及第二保护电路；所述第一保护电路包括：第一NMOS管；所述第二保护电路包括：电容、第二NMOS管及第三NMOS管；所述第一NMOS管与所述第二NMOS管共享栅极耦合效应。该静电放电保护电路能够使得高速输入PAD依然可以采用栅极耦合效应的保护电路来提高静电放电保护的能力。
基本信息
专利标题 ：
静电放电保护电路及集成电路芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920550016.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-22
授权号 ：
CN209823413U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
许杞安
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁礼君
优先权 ：
CN201920550016.8
主分类号 ：
H02H9/04
IPC分类号 ：
H02H9/04
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法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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