集成磁隔离芯片的边沿转换电路
专利申请权、专利权的转移
摘要

集成磁隔离芯片的边沿转换电路,涉及集成电路技术。本实用新型的电路包括上升沿转换单元、下降沿转换单元,其特征在于:所述上升沿转换单元的输入端与信号输入端连接,输出端与或门的第一个输入端连接;所述下降沿转换单元的输入端与信号输入端连接,输出端与或门的第二个输入端连接;或门的输出端作为编码信号输出端;所述上升沿转换单元为上升沿——长脉冲转换单元,所述下降沿转换单元为下降沿——短脉冲转换单元;或者,所述上升沿转换单元为上升沿——短脉冲转换单元,所述下降沿转换单元为下降沿——长脉冲转换单元。本实用新型能大大提高信号传输速率。

基本信息
专利标题 :
集成磁隔离芯片的边沿转换电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921367616.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-22
授权号 :
CN210807206U
授权日 :
2020-06-19
发明人 :
袁思彤李威文守甫罗和平程瑜
申请人 :
宜宾市叙芯半导体有限公司
申请人地址 :
四川省宜宾市叙州区城北新区青龙街2号1栋11层1号
代理机构 :
成都惠迪专利事务所(普通合伙)
代理人 :
刘勋
优先权 :
CN201921367616.7
主分类号 :
H03K5/125
IPC分类号 :
H03K5/125  H03K5/06  
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法律状态
2021-02-05 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H03K 5/125
登记生效日 : 20210126
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 宜宾市叙芯半导体有限公司
变更后权利人 : 成都茂扬电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 644000 四川省宜宾市宜宾市叙州区城北新区青龙街2号1栋11层1号
变更后权利人 : 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号高新孵化园6号楼201室
2020-06-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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