集成磁隔离芯片的边沿检测电路及边沿转换电路
专利申请权、专利权的转移
摘要

集成磁隔离芯片的边沿检测电路和边沿转换电路,涉及集成电路技术。本实用新型包括:第一PMOS管,其源极接参考高电平,漏极接第二PMOS管的源极,栅极接信号输入端和第一输出点;第二PMOS管,其漏极接第二参考点,其栅极接第三PMOS管的栅极和漏极;第三PMOS管,其源极接参考高电平,其漏极通过第一电流源接地;第四NMOS管,其源极接地,栅极和漏极接第五NMOS管的栅极,漏极还接第二电流源的输出端;第五NMOS管,其源极接第六NMOS管的漏极,其漏极接第二输出点,漏极还通过电容接地;第六NMOS管,其源极接地,栅极接信号输入端。本实用新型的优点是电压比较稳定,没有了漏极寄生电容充放电的问题,开关速度快,而且没有电荷分流的问题。同时解决了数字控制信号电荷注入的问题。

基本信息
专利标题 :
集成磁隔离芯片的边沿检测电路及边沿转换电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921367598.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-22
授权号 :
CN210958308U
授权日 :
2020-07-07
发明人 :
王佐袁思彤文守甫王建斌罗和平程瑜李威
申请人 :
宜宾市叙芯半导体有限公司
申请人地址 :
四川省宜宾市叙州区城北新区青龙街2号1栋11层1号
代理机构 :
成都惠迪专利事务所(普通合伙)
代理人 :
刘勋
优先权 :
CN201921367598.2
主分类号 :
H03K5/125
IPC分类号 :
H03K5/125  H03K5/06  
法律状态
2021-01-26 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H03K 5/125
登记生效日 : 20210113
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 宜宾市叙芯半导体有限公司
变更后权利人 : 成都茂扬电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 644000 四川省宜宾市宜宾市叙州区城北新区青龙街2号1栋11层1号
变更后权利人 : 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号高新孵化园6号楼201室
2020-07-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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