浅沟槽高压GPP芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种浅沟槽高压GPP芯片，所述芯片包括N‑衬底层，所述N‑衬底层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述N‑衬底层的上表面形成有P‑隔离环，所述P‑隔离环内的N‑衬底层的上表面形成有P阳极层，所述P阳极层的上表面形成有P+阳极层，所述P‑隔离环不与所述P阳极层以及P+阳极层接触，所述P‑隔离环的上表面形成有钝化沟槽，所述钝化沟槽内形成有钝化层，所述钝化层的内侧与所述P阳极层以及P+阳极层接触，所述P+阳极层的上表面形成有阳极金属层。所述GPP芯片中沟槽深度较浅，在制备的过程中可有效的减少Wafer翘曲，降低芯片内部应力，减少碎片，提高产出率。
基本信息
专利标题 ：
浅沟槽高压GPP芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921665201.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-08
授权号 ：
CN210607274U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
潘蔡军王成森张超
申请人 ：
捷捷半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市苏通科技产业园井冈山路6号
代理机构 ：
石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王占华
优先权 ：
CN201921665201.8
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L21/329
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
