一种沟槽栅型功率芯片
授权
摘要
本申请提供一种沟槽栅型功率芯片，其特征在于，沟槽栅型功率芯片包括一个或多个元胞，所述元胞包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括沟槽、分别位于沟槽的两侧的发射极区和非导通电流侧衬底区域；热氧化层，其形成于沟槽的内壁以及非导通电流侧衬底区域的表面；多晶硅，其形成于沟槽的内壁上的热氧化层上和沟槽外的热氧化层上，沟槽内的多晶硅构成沟槽栅；隔离氧化层，其形成在沟槽外的多晶硅上方并向下延伸形成延伸部以使所述沟槽外的多晶硅中断；金属层，其覆盖所述隔离氧化层并连接至所述发射极区。该沟槽栅型功率芯片可以有效降低沟槽栅型功率芯片元胞区域的传输电容，从而降低功率芯片的动态损耗，提升开关频度，从而提升整体性能。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽栅型功率芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921857112.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-31
授权号 ：
CN211125659U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
赵哿原诚寅文宇贾晓峰朱明哲刘保光岳凤来郑广州
申请人 ：
北京新能源汽车技术创新中心有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区荣华中路10号1幢A座1705
代理机构 ：
北京一品慧诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄岳巍
优先权 ：
CN201921857112.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739 H01L29/423
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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