本发明提供一种沟槽型双层栅功率MOSFET及其制造方法，该方法包括以下步骤：形成第一多晶硅层、介质层于沟槽中，以遮盖第一多晶硅层引出区的第二保护层为掩膜，采用干法刻蚀对介质层进行回刻以使介质层的顶面与半导体层的顶面间隔第一距离；采用湿法刻蚀对介质层进行回刻以使介质层靠近沟槽侧壁的部分呈内凹弧形，并使介质层位于沟槽中间部分的顶面与半导体层的顶面间隔第二距离。本发明采用干式刻蚀加湿法刻蚀工艺，改善介质层侧向腐蚀，提高生产过程中工艺稳定性，提升产品良率，并减少了湿法过程中晶圆泡在酸液内的时间，减少蚀刻溶液的蚀刻速率变化带来的对第一、第二多晶硅层之间介质层厚度波动的影响，有利于提高产品动态参数稳定性。