一种低导通电阻的沟槽碳化硅功率器件及其制造方法
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摘要
一种低导通电阻的沟槽碳化硅功率器件及其制造方法。其元胞结构包括，N型衬底，N型外延层，沟槽，沟槽侧壁设有石墨烯层，沟槽内部设有栅氧化层和多晶硅栅，多晶硅栅上方设有钝化层，沟槽两侧设有P型体区、N型源区和P型体接触区，石墨烯层下方设有P型屏蔽层，源区上表面设有源极金属，衬底下表面设有漏极金属。本发明使用电子束法，以金属和碳源气体辅助，在沟槽侧壁生长石墨烯层。本发明特征在于，沟槽侧壁的石墨烯层，降低了导通电阻。石墨烯层下方的屏蔽层，屏蔽了在器件关断状态时流过石墨烯层的电流，提升器件关断特性。使用了金属镍和碳源气体辅助生长石墨烯层，提高了石墨烯层的均匀性、厚度和生长速率。
基本信息
专利标题 ：
一种低导通电阻的沟槽碳化硅功率器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110176498A
申请号 ：
CN201910366654.9
公开（公告）日 ：
2019-08-27
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN110176498B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
魏家行付浩赵航波刘斯扬孙伟锋陆生礼时龙兴
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区菱湖大道99号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
柏尚春
优先权 ：
CN201910366654.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/16 H01L29/10 H01L21/263 H01L21/336 H01L29/06
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-09-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20190430
申请日 : 20190430
2019-08-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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