面向高压碳化硅功率器件的沟槽调制型结终端扩展结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种面向高压碳化硅功率器件的沟槽调制型结终端扩展结构，沟槽调制型结终端扩展结构构建在掺杂碳化硅表面外延层上，包括刻蚀沟槽环和划片槽。刻蚀沟槽环有多个，多个刻蚀沟槽环位于紧邻功率器件有源区的四周外侧的结终端区且自结终端区的内侧到外侧依次环向设置，多个刻蚀沟槽环的环宽自结终端区的内侧到外侧按照设定尺寸逐渐减小，多个刻蚀沟槽环的环间距自结终端区的内侧到外侧按照设定尺寸逐渐增加；划片槽位于结终端区的四周外侧。本发明的面向高压碳化硅功率器件的沟槽调制型结终端扩展结构，能提高高压碳化硅功率器件的阻断电压的同时具有更宽的工艺窗口，成品率高、一致性好、重复性好、成本低。
基本信息
专利标题 ：
面向高压碳化硅功率器件的沟槽调制型结终端扩展结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551569A
申请号 ：
CN202210121620.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岳瑞峰杨同同王燕
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄德海
优先权 ：
CN202210121620.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220209
申请日 : 20220209
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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