具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件

授权

摘要

本实用新型公开了具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件，包括导电漂移区，所述导电漂移区的底部固定连接有导电衬底，所述导电衬底的底部固定连接有保护层，所述保护层包括集电极金属引出极。本实用新型通过设置控制栅氧化层、栅极发射氧化层、栅极接收引入电极、栅极接收氧化层、栅极发射引出电极、导电桥架、屏蔽栅多晶硅、绝缘盖板和场氧化层的配合使用，可使沟槽型IGBT器件具备与栅电极交叠面积减小的特点，这样通过氧化层可以起到减小电容的效果，解决了沟槽型IGBT器件在使用时，因不能减小与栅电极的交叠面积，容易使得输入电容和反馈电容增大，无法改善IGBT的开关特性，从而导致沟槽型IGBT器件出现开关损耗较大的问题。

基本信息

专利标题：

具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021391765.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-15

授权号：

CN212542442U

授权日：

2021-02-12

发明人：

朱永斌邱嘉龙李志军何祖辉邱秀华

申请人：

浙江天毅半导体科技有限公司

申请人地址：

浙江省绍兴市越城区平江路328号6幢一层

代理机构：

北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹玉清

优先权：

CN202021391765.X

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L29/423 H01L29/06