具有可调电容的沟槽栅IGBT器件

授权

摘要

本实用新型公开了具有可调电容的沟槽栅IGBT器件，包括N型漂移区，所述N型漂移区的底部设置有N+缓冲区，所述N+缓冲区的底部设置有P+集电区，N型漂移区的顶部设置有P型基区，P型基区的顶部设置有P型沟道区，N型漂移区顶部的两侧均贯穿设置有绝缘栅氧化层。本实用新型通过N型漂移区、N+缓冲区、P+集电区、P型基区、P型沟道区、卡柱、N型源区、可调电容、绝缘介质板、P+发射区、栅极导电多晶硅、电介质体、绝缘栅氧化层和绝缘橡胶垫的配合使用，解决了现有的沟槽栅IGBT器件通常不具备可调电容，在使用的过程中无法根据电路需求对IGBT的电容进行变化，且无法安装不同规格的可调电容，降低了沟槽栅IGBT器件的适用性的问题。

基本信息

专利标题：

具有可调电容的沟槽栅IGBT器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021293906.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-05

授权号：

CN212542441U

授权日：

2021-02-12

发明人：

朱永斌邱嘉龙李志军何祖辉邱秀华

申请人：

浙江天毅半导体科技有限公司

申请人地址：

浙江省绍兴市越城区平江路328号6幢一层

代理机构：

北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹玉清

优先权：

CN202021293906.4

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L29/06