沟槽式MOS器件
授权
摘要
本实用新型公开一种沟槽式MOS器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，所述硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；一圆形洞槽包覆于沟槽下部和底部，此圆形洞槽的直径大于沟槽的宽度，所述圆形洞槽的表面覆盖有第三二氧化硅层，此圆形洞槽的第三二氧化硅层与沟槽之间填充有导电多晶硅部。本实用新型沟槽式MOS器件减小了器件工作时候的开关损耗，且降低了关断时的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
沟槽式MOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021209920.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-28
授权号 ：
CN213366600U
授权日 ：
2021-06-04
发明人 ：
陈译陆佳顺杨洁雯
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN202021209920.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L27/088
相关图片
法律状态
2021-06-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN213366600U.PDF
PDF下载
