一种沟槽MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种沟槽MOSFET器件，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有MOSFET外围耐压存在可靠性较差和外围耐压较弱的问题。包括：有源区沟槽，外围沟槽和外延层；所述外延层上设置所述有源区沟槽和外围沟槽；所述外围沟槽的宽度大于所述有源区沟槽的宽度；所述外围沟槽的深度大于所述有源区沟槽的深度；所述外围沟槽之间的间距与所述有源区沟槽之间的间距相等；所述外围沟槽内的SAC氧化层的厚度大于所述有源区沟槽内的栅极氧化层的厚度。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021384299.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-14
授权号 ：
CN212587512U
授权日 ：
2021-02-23
发明人 ：
袁力鹏唐呈前李生龙杨科夏亮完颜文娟常虹
申请人 ：
华羿微电子股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
党娟娟
优先权 ：
CN202021384299.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2021-02-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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