中低压沟槽型MOS器件
授权
摘要
本实用新型公开一种中低压沟槽型MOS器件，其位于P型掺杂阱层内的沟槽延伸至N型掺杂外延层内，所述沟槽侧壁和底部具有一第一二氧化硅层，且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱，此第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间填充有第二二氧化硅层；所述沟槽内下部具有下N型源极部，此下N型源极部位于第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱与沟槽底部之间，所述下N型源极部与沟槽之间填充有第三氧化硅层，所述下N型源极部与第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间通过第四氧化硅层隔离。本实用新型减小了器件工作时候的开关损耗，有效抑制了器件的误开启。
基本信息
专利标题 ：
中低压沟槽型MOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021210590.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-28
授权号 ：
CN212342638U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
陈译陆佳顺杨洁雯
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN202021210590.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423
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法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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