沟槽型IGBT器件结构
授权
摘要
本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种沟槽型IGBT器件结构，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，形成于所述第一导电类型的衬底内；沟槽栅极，位于所述第二导电类型的漂移区内；所述沟槽栅极包括：绝缘隔离层；栅极导电层，位于所述绝缘隔离层的上表面；栅氧化层，位于所述绝缘隔离层的上表面，且位于所述第二导电类型的漂移区与所述栅极导电层之间。本申请通过设置绝缘隔离层，有效地减小了沟槽栅极中有效栅多晶硅层的填充深度，降低了沟槽栅极填充的工艺难度及制造成本，减小沟槽型IGBT器件结构的栅极输入电容，在提高了电流密度的同时还能保证沟槽栅极具有足够高的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
沟槽型IGBT器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020393712.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-25
授权号 ：
CN211480037U
授权日 ：
2020-09-11
发明人 ：
朱贤龙闫鹏修
申请人 ：
广东芯聚能半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南沙区南沙街道南林路一巷73号之四103房
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202020393712.5
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/423 H01L29/06
法律状态
2020-09-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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