一种沟槽RC-IGBT器件结构

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摘要

一种沟槽RC‑IGBT器件结构，主要包括N型衬底及设置在N型衬底顶部的P阱层，所述P阱层上通过第一接触孔和第二接触孔连接有金属层，所述第一接触孔两侧的P阱层内朝向N型衬底一侧分别设置有沟槽，该沟槽内通过氧化层设置有与沟槽形状对应的多晶硅层，所述N型衬底靠近第一接触孔的一侧设置有与P阱层接触的N型电荷储存层，所述N型衬底的底部设置有N型场终止层；所述金属层为阶梯状结构，且第一接触孔上部金属层的高度高于第二接触孔上部金属层的高度，所述金属层及金属层覆盖区域依次形成了IGBT单胞区及FRD单胞区，N型衬底上未设置金属层的一侧形成了终端区域；它具有工艺控制简单，与通用的沟槽型IGBT工艺兼容等特点。

基本信息

专利标题：

一种沟槽RC-IGBT器件结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020375237.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-23

授权号：

CN211789025U

授权日：

2020-10-27

发明人：

伽亚帕·维拉玛·苏巴斯汤艺永福

申请人：

嘉兴斯达半导体股份有限公司

申请人地址：

浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号

代理机构：

杭州九洲专利事务所有限公司

代理人：

陈琦

优先权：

CN202020375237.9

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L29/06 H01L21/331