浅沟槽隔离结构及半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及浅沟槽隔离结构及半导体器件，所述浅沟槽隔离结构形成于衬底内，其包括：第一部，其具有从衬底的表面延伸至衬底内的第一深度处的第一侧壁，第一侧壁相对于衬底的表面具有第一斜率，且一侧壁的表面具有第一粗糙度；以及第二部，其具有从第一深度处的第一侧壁延伸至衬底内的第二深度处的第二侧壁，第二侧壁相对于衬底的表面具有第二斜率，且第二侧壁的表面具有第二粗糙度，其中，第二斜率大于第一斜率，并且其中，第二粗糙度大于第一粗糙度。本实用新型既解决了难以填充浅沟槽隔离结构的问题又不会导致衬底表面的可用空间过小。
基本信息
专利标题 ：
浅沟槽隔离结构及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921320118.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-15
授权号 ：
CN210467798U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
朱贤士黄德浩周运帆许耀光童宇诚
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN201921320118.7
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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