半导体器件的隔离方法
专利权的终止
摘要
半导体器件隔离法包括：形成多层结构；刻出有源区隔离区；形成沟道阻挡区；除去氮化层上的多层结构形成覆盖氧化层；除去氮化层多晶硅层上的多层结构形成隔离层，并在侧壁形成分隔层；形成控制极氧化层和控制极；形成第二导电扩散区。形成隔离层采用CVD和光刻法，不致因应力产生鸟嘴现象和位错。分隔层防止沟道阻挡区与离子注入杂质形成的扩散区接触。本发明的隔离极限达正微米范围，避免沟道狭窄效应，提高击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的隔离方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1059424A
申请号 ：
CN90109410.2
公开（公告）日 ：
1992-03-11
申请日 ：
1990-11-20
授权号 ：
CN1020991C
授权日 ：
1993-05-26
发明人 ：
权五铉裴东住
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
程天正
优先权 ：
CN90109410.2
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2011-02-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101035929032
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL901094102
申请日 : 19901120
授权公告日 : 19930526
终止日期 : 20091221
号牌文件序号 : 101035929032
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL901094102
申请日 : 19901120
授权公告日 : 19930526
终止日期 : 20091221
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-05-26 ：
授权
1992-03-11 ：
公开
1991-04-03 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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