形成掩埋隔离区的方法以及具有掩埋隔离区的半导体器件

专利权的终止

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摘要

半导体结构和形成半导体结构的方法。半导体结构包括纳米结构或使用纳米结构制造。形成半导体结构的方法包括使用纳米掩模产生纳米结构和使用产生的纳米结构实施附加半导体工艺步骤。

基本信息

专利标题：

形成掩埋隔离区的方法以及具有掩埋隔离区的半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828861A

申请号：

CN200610002740.4

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-01-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

S·J·霍姆斯M·C·哈基C·W·科布格尔三世古川俊治D·V·霍拉克

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200610002740.4

主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/762 H01L21/84 H01L27/12

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/71

限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造

H01L21/76

组件间隔离区的制作

H01L21/762

介电区

法律状态

2021-01-08 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20200125

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/762
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/762
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2009-07-22 ：

授权

2006-10-25 ：

实质审查的生效

2006-09-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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