具有沟道区的半导体器件

授权

摘要

本发明提供了具有沟道区的半导体器件。一种半导体器件包括：衬底；多个凸出部，所述多个凸出部在所述衬底上彼此平行地延伸；多条纳米线，所述多条纳米线设于所述多个凸出部上并且彼此分开；多个栅电极，所述多个栅电极设于所述衬底上并且围绕所述多条纳米线；多个源/漏区，所述多个源/漏区设于所述多个凸出部上并且位于所述多个栅电极中的每一个栅电极的侧部，所述多个源/漏区与所述多条纳米线接触；以及多个第一空隙，所述多个第一空隙设于所述多个源/漏区与所述多个凸出部之间。

基本信息

专利标题：

具有沟道区的半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108269849A

申请号：

CN201710780704.9

公开（公告）日：

2018-07-10

申请日：

2017-09-01

授权号：

CN108269849B

授权日：

2022-06-14

发明人：

宋升珉朴雨锡裴金钟裴东一梁正吉

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市立方律师事务所

代理人：

李娜

优先权：

CN201710780704.9

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/10 H01L21/336