具有圆形形状的纳米线晶体管沟道的半导体器件及其制造方法
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摘要
提供一种具有圆形形状的纳米线沟道的场效应晶体管(FET)及制造该FET的方法。根据该方法，在半导体衬底上形成源区和漏区。在该源区和漏区之间耦合多个初步沟道区。该初步沟道区被刻蚀，以及该刻蚀的初步沟道区被退火，以形成FET沟道区，该FET沟道区具有基本上圆形的截面形状。
基本信息
专利标题 ：
具有圆形形状的纳米线晶体管沟道的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855390A
申请号 ：
CN200610071765.X
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李成泳申东石
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200610071765.X
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/772
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2010-07-21 ：
授权
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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