半导体器件和晶体管
专利权的终止
摘要
一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：使非晶硅膜结晶化；在其上形成棚绝缘膜和棚电极、以自对准方式注入杂质，粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层，以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火，以激活已掺入的杂质。按另一方案，可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1108004A
申请号 ：
CN94104268.5
公开（公告）日 ：
1995-09-06
申请日 ：
1994-03-12
授权号 ：
CN1095204C
授权日 ：
2002-11-27
发明人 ：
张宏勇高山彻竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN94104268.5
主分类号 ：
H01L29/36
IPC分类号 ：
H01L29/36 H01L29/772 H01L21/336 H01L21/00
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法律状态
2014-04-16 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101581484875
IPC(主分类) : H01L 29/36
专利号 : ZL941042685
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20021127
期满终止日期 : 20140312
号牌文件序号 : 101581484875
IPC(主分类) : H01L 29/36
专利号 : ZL941042685
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20021127
期满终止日期 : 20140312
2002-11-27 ：
授权
1996-06-05 ：
实质审查请求的生效
1995-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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