具有三维结构的晶体管器件的半导体器件
实质审查的生效
摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括:衬底;位线导电层,其设置在衬底上并在实质上平行于衬底表面的第一横向方向上延伸;第一和第二沟道结构,其设置在位线导电层上而在第一横向方向上彼此间隔开;第一和第二栅极电介质层,其设置在衬底上方的第一沟道结构和第二沟道结构的侧表面上;第一和第二栅极线导电层,其分别设置在第一栅极电介质层和第二栅极电介质层上,第一和第二栅极线导电层分别与第一沟道结构和第二沟道结构相邻,并且在垂直于第一横向方向并实质上平行于衬底表面的第二横向方向上延伸;以及第一和第二储存节点电极层,其分别设置在第一沟道结构和第二沟道结构上方。

基本信息
专利标题 :
具有三维结构的晶体管器件的半导体器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114373758A
申请号 :
CN202110428543.3
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2021-04-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
韩在贤徐东益李在吉
申请人 :
爱思开海力士有限公司
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 :
郭放
优先权 :
CN202110428543.3
主分类号 :
H01L27/108
IPC分类号 :
H01L27/108  H01L21/8242  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210421
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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