晶体管及半导体器件

授权

摘要

本公开涉及晶体管及半导体器件。一种晶体管包括漏极、源极、栅电极以及源极和漏极之间的纳米线。该纳米线具有有第一厚度的第一部分和有大于第一厚度的第二厚度的第二部分。第二部分在第一部分与源极和漏极中的至少一个之间。当电压被施加到栅电极时，第一纳米线包括沟道。

基本信息

专利标题：

晶体管及半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107452799A

申请号：

CN201710362546.5

公开（公告）日：

2017-12-08

申请日：

2017-05-22

授权号：

CN107452799B

授权日：

2022-05-24

发明人：

李承勋金东宇徐东灿金善政

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张波

优先权：

CN201710362546.5

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/775 H01L29/10 H01L29/423 H01L21/336

法律状态

2022-05-24 ：

授权

2019-04-30 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20170522

2017-12-08 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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