包括LDMOS晶体管的半导体器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
半导体器件(100)包括LDMOS晶体管，其包括：P型硅衬底(102)；形成在P型硅衬底(102)上的栅电极(120)；在水平方向上远离栅电极(120)形成的漏(第二N型扩散区109)；形成在漏(第二N型扩散区109)上的漏电极(130)；位于栅电极(120)和漏电极(130)之间并且具有比栅绝缘膜(112)的膜厚度厚的膜厚度的绝缘膜(场氧化膜106)；以及在绝缘膜上沿漏电极(130)形成的电场控制电极(118)。
基本信息
专利标题 ：
包括LDMOS晶体管的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755944A
申请号 ：
CN200510106819.7
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藤井宏基
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200510106819.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78
法律状态
2009-04-08 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-05-31 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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