半导体器件和包括其的半导体装置
公开
摘要
提供了一种包括铁电层和两个或更多个电极层的铁电半导体器件和包括其的半导体装置。该半导体器件可以包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层具有比铁电层的热膨胀系数小的热膨胀系数。第二电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异可以大于第一电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异。第二电极层可以具有比第一电极层的厚度大的厚度。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和包括其的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447223A
申请号 ：
CN202111298883.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许镇盛李润姓南胜杰裵鹤烈文泰欢赵常玹
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
屈玉华
优先权 ：
CN202111298883.5
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L29/78 H01L27/088 H01L27/11507 H01L27/1159
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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