具有拥有不同功函数层的晶体管的半导体器件

授权

摘要

一种半导体器件可以包括具有第一区域和第二区域的衬底。第一晶体管可以在第一区域中并包括第一栅极线，第一栅极线包括第一下部含金属层和在第一下部含金属层上的第一上部含金属层。第二晶体管可以在第二区域中并包括第二栅极线，第二栅极线具有与第一栅极线的宽度相等的宽度，并且包括第二下部含金属层和在第二下部含金属层上的第二上部含金属层。第一上部含金属层的最上端和第二下部含金属层的最上端的每个可以在比第一下部含金属层的最上端高的水平处。

基本信息

专利标题：

具有拥有不同功函数层的晶体管的半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109830479A

申请号：

CN201811405041.3

公开（公告）日：

2019-05-31

申请日：

2018-11-23

授权号：

CN109830479B

授权日：

2022-04-19

发明人：

任廷爀金完敦李钟汉丁炯硕玄尚镇

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张波

优先权：

CN201811405041.3

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092 H01L29/49