含具有垂直栅电极的晶体管的半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

半导体器件包括具有垂直栅电极的晶体管。在晶体管结构中，半导体图案具有面对横向方向的第一和第二侧面、以及面对纵向方向的第三和第四侧面。栅极图案设置与半导体图案的第一和第二侧面相邻。杂质图案直接接触半导体图案的第三或第四侧面。栅极绝缘图案夹置于栅极图案和半导体图案之间。

基本信息

专利标题：

含具有垂直栅电极的晶体管的半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828900A

申请号：

CN200610004555.9

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-01-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

姜相宇韩晶昱金龙泰尹胜范

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610004555.9

主分类号：

H01L27/088

IPC分类号：

H01L27/088 H01L21/8234

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/08

只包括有一种半导体组件的

H01L27/085

只包含场效应的组件

H01L27/088

有绝缘栅场效应晶体管的组件

法律状态

2016-03-23 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101651897158
IPC(主分类) : H01L 27/088
专利号 : ZL2006100045559
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20110406
终止日期 : 20150127

2011-04-06 ：

授权

2007-11-07 ：

实质审查的生效

2007-01-10 ：

发明专利申请公布说明书更正

更正卷 : 22
号 : 36
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2005.07.21 KR 66383/05

2006-09-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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