半导体器件及其制造方法和晶体管结构
公开
摘要
本公开提供了半导体器件及其制造方法和晶体管结构。一种半导体器件包括：基板；第一晶体管，形成在基板之上并具有第一晶体管堆叠，该第一晶体管堆叠包括多个第一沟道结构、围绕第一沟道结构的第一栅极结构以及在第一晶体管堆叠的在第一沟道长度方向上的两端处的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；以及第二晶体管，在垂直方向上形成在第一晶体管之上并具有第二晶体管堆叠，该第二晶体管堆叠包括多个第二沟道结构、围绕第二沟道结构的第二栅极结构以及在第二晶体管堆叠的在第二沟道长度方向上的两端处的第三源极/漏极区和第四源极/漏极区，其中第三源极/漏极区不与第一源极/漏极区或第二源极/漏极区垂直地重叠，并且第四源极/漏极区不与第一源极/漏极区或第二源极/漏极区垂直地重叠。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法和晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388607A
申请号 ：
CN202110504821.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-05-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄寅灿全辉璨洪炳鹤
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王新华
优先权 ：
CN202110504821.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/78 H01L27/088
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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