高电子迁移率晶体管器件和半导体器件
授权
摘要
本公开的各实施例涉及高电子迁移率晶体管器件和半导体器件。高电子迁移率晶体管器件，包括：异质结构；在异质结构上的电介质层；以及栅极电极，完全延伸穿过电介质层，栅极电极包括：第一栅极金属层，被配置为与异质结构形成肖特基接触；第二栅极金属层，在第一栅极金属层上；以及第三栅极金属层，在第二栅极金属层上，第三栅极金属层包括铝，其中第二栅极金属层形成抵抗铝原子从第三金属层朝向异质结构扩散的屏障。根据本公开的实施例，提供了改进的高电子迁移率晶体管器件。
基本信息
专利标题 ：
高电子迁移率晶体管器件和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022447450.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN215680609U
授权日 ：
2022-01-28
发明人 ：
F·尤克拉诺C·特林加里
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
罗利娜
优先权 ：
CN202022447450.9
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L21/28 H01L29/423 H01L29/47 H01L29/778
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-01-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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