一种提高器件电子迁移率的结构
授权
摘要
本实用新型涉及器件技术领域，且公开了一种提高器件电子迁移率的结构，包括器件本体和矩形支撑框，所述器件本体的底部固定连接有散热硅胶垫，所述矩形支撑框的内侧壁固定连接散热铝板。该提高器件电子迁移率的结构，通过矩形支撑框、散热硅胶垫、散热铝板、散热翅片、散热铜板和散热孔之间的相互配合，从而可以通过散热硅胶垫将器件本体内部的温度热量进行吸收，并将热量传递给散热铝板，且通过散热翅片将热量传递给散热铜板，进而实现散热效果，同时热量在散热翅片上时，可以通过散热口来对将矩形支撑框内部的热量进行散发，进而可以有效的降低器件本体内部的温度，从而可以提高器件的电子迁移率。
基本信息
专利标题 ：
一种提高器件电子迁移率的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123221515.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216528869U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
许舜渊
申请人 ：
深圳市摩得半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123221515.9
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/14 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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