一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构，要解决的是现有氮化镓器件外延层电子迁移率不高的问题。本产品包括衬底、c‑GaN层、i‑GaN层和AlGaN barrier层，所述衬底位于最底层，衬底的上部设置有AIN缓冲层，AIN缓冲层的上部设置有AlGaN缓冲层，AlGaN缓冲层位于c‑GaN层的下方，i‑GaN层位于c‑GaN层的上方，AlGaN barrier层位于i‑GaN层的上部，i‑GaN层和AlGaN barrier层之间设置有AlN spacer层，AlGaN barrier层的上部设置有P‑AlInGaN层。
基本信息
专利标题 ：
一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921362601.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-21
授权号 ：
CN210224041U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
廖宸梓王柏钧陈宪冠叶顺闵
申请人 ：
聚力成半导体（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市江北区江北嘴IFS国金中心T2栋2911
代理机构 ：
北京专赢专利代理有限公司
代理人 ：
于刚
优先权 ：
CN201921362601.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778 H01L21/335 B82Y40/00
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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