一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构
授权
摘要
一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括衬底，衬底表面依次生长GaN缓冲层、AlGaN层和电极层，GaN缓冲层包括在衬底表面依次生长碳掺杂GaN层Ⅰ和非故意掺杂GaN层Ⅰ而形成的反偏PN结，反偏PN结的两侧设置有将其中储存的电荷泄放的泄放结构，本实用新型的有益效果是，本实用新型通过在缓冲层引入泄放结构来释放掉因PN结反偏势垒而存储的电荷，可抑制C‑GaN HEMT器件的电流崩塌效应，同时保证了晶体管结构整体的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123139754.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
CN216698374U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
鄢诏译袁松赵海明钮应喜钟敏史田超左万胜张晓洪
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟迪
优先权 ：
CN202123139754.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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