集成氮化镓晶闸管的常闭型高电子迁移率晶体管及其制造方法
公开
摘要
本发明提供了一种集成氮化镓晶闸管的常闭型高电子迁移率晶体管及其制造方法，该方法使用p‑GaN/n‑GaN/p‑GaN三层结构替代传统的p‑GaN覆盖层，从而这三层结构可与其下方n‑AlGaN势垒层形成GaN基晶闸管结构。由于GaN基晶闸管的开启电压大，集成GaN晶闸管的常闭型HEMT器件可以拥有更大的正阈值电压。当外加偏压达到阈值电压后，HEMT器件导通，此时GaN基晶闸管所需的维持电压低且可产生大电流，HEMTs将拥有大的工作漏电流。切断HEMTs的栅极电压后，在正向漏电压作用下，GaN基晶闸管将处于反向阻断状态，HEMTs会被瞬间关闭。同时，器件制备过程为纯氮化镓工艺，工艺简单。
基本信息
专利标题 ：
集成氮化镓晶闸管的常闭型高电子迁移率晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613840A
申请号 ：
CN202210216015.6
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余晨辉秦嘉怡成田恬沈倪明罗曼
申请人 ：
南通大学
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川区啬园路9号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
秦秋星
优先权 ：
CN202210216015.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/74 H01L29/778 H01L21/332 H01L21/335
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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