带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管
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摘要
本实用新型涉及一种带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管，在衬底的上表面固定有缓冲层，在缓冲层的上表面固定有势垒层，在势垒层的上表面固定有源极金属、第一钝化层、P型栅极、肖特基结型场板、第二钝化层与漏极金属，第一钝化层的右端部分延伸到P型栅极的上方，肖特基结型场板的右端部分延伸到第二钝化层的上方；在延伸到P型栅极上方的第一钝化层上开设有连通孔，在连通孔内以及P型栅极上方的第一钝化层的上表面设有栅极金属，且栅极金属和肖特基结型场板采用同一种金属制作。本实用新型提出的肖特基结型场板可以更有效的感应电荷、屏蔽P型栅极7末端处的电场峰值，使得本实用新型提出的器件结构具有更高的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922450345.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN210956684U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
贺洁王书昶张雄黄飞明励晔
申请人 ：
无锡硅动力微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区珠江路51号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201922450345.8
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335 H01L29/40
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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