具有高电子迁移率异质结的电子元件
授权
摘要
本发明涉及一种具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，所述电子元件包括：‑第一半导体材料层(12)和第二半导体材料层(13)的叠加，以便在第一和第二半导体层之间的界面附近形成电子气层(14)；和‑传导电极的第一和第二金属接触部(21、22)，其相对于电子气层垂直地形成在所述第二半导体材料层(13)上。所述第一和第二金属接触部中的至少一个具有接触长度L，使得L≤1.5*√(ρc/R2Deg)；其中ρc表示在425K温度下的所述金属接触部与电子气层的电阻率，其中R2Deg是在425K温度下电子气层中的方块电阻。
基本信息
专利标题 ：
具有高电子迁移率异质结的电子元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110168737A
申请号 ：
CN201780083126.1
公开（公告）日 ：
2019-08-23
申请日 ：
2017-11-08
授权号 ：
CN110168737B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
埃尔文·莫尔万
申请人 ：
原子能和替代能源委员会
申请人地址 ：
法国巴黎
代理机构 ：
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
谢攀
优先权 ：
CN201780083126.1
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/872 H01L29/417 H01L29/205
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-11-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20171108
申请日 : 20171108
2019-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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