具有多层载片结构的电子元件
授权
摘要
本发明公开了一种具有多层载片结构的电子元件，具有引线框架载片台+镀银层+点阵层+芯片的多层连接结构；所述的点阵层是多个间隔排列的有一定高度的麻点点阵结构，每一个麻点具有一定的高度，载片台与芯片不直接接触。本发明的多层结构使得芯片散热好，传热、散热特性均可涉及控制。
基本信息
专利标题 ：
具有多层载片结构的电子元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113394179A
申请号 ：
CN202110525078.5
公开（公告）日 ：
2021-09-14
申请日 ：
2021-05-14
授权号 ：
CN113394179B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
黄渊王建荣葛飞虎
申请人 ：
南通华达微电子集团股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川开发区紫琅路99号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202110525078.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/467 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-10-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20210514
申请日 : 20210514
2021-09-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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