电子元件的制造方法、电子元件以及电子仪器
专利权的终止
摘要
本发明提供一种电子元件的制造方法。该电子元件的制造方法按照如下步骤制造单片化的多个电子元件，即：准备具有多个第1区域的第1基板；准备具有多个第2区域的第2基板；将所述第1区域与所述第2区域相互对置，以使功能元件的至少一部分被配置在所述第1区域与所述第2区域之间的空间内，并将所述第1基板和所述第2基板接合，在接合了所述第1基板和所述第2基板之后，按每个所述第1区域切割所述第1基板而获得被分割为多个的第1分割基板，在切割了所述第1基板之后，在所述第2基板上形成覆盖所述多个第1分割基板的密封薄膜，在形成了所述密封薄膜之后，按每个所述第2区域切割所述第2基板而获得多个被分割的第2分割基板。
基本信息
专利标题 ：
电子元件的制造方法、电子元件以及电子仪器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828827A
申请号 ：
CN200610009461.0
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桥元伸晃
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610009461.0
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2022-02-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20210223
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20210223
2008-12-17 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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