电子元件容器及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种电子元件容器及其制造方法,所述电子元件容器包括:基底层;第一及第二防静电层,其分别形成于所述基底层上部及下部表面;收容槽,其是由所述基底层和第一及第二防静电层以矩阵形状排列成型M×N个而形成的;导电层,其以与所述第一及第二防静电层电连接的形式形成于所述基底层的侧面。据此,导电层对第一及第二防静电层进行电连接,所以即使在多个电子元件容器层叠的状态下,也可以容易地去除产生的静电,从而可以防止位于收容槽内的电子元件因静电而被破坏,毛刺和细微粒子由耐溶剂性树脂形成,从而即使没有溶解于有机溶剂,在导电层形成时因埋没至内部而不被露出,所以,减少去除时间,从而提高生产性。
基本信息
专利标题 :
电子元件容器及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108461431A
申请号 :
CN201710948326.0
公开(公告)日 :
2018-08-28
申请日 :
2017-10-12
授权号 :
CN108461431B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
尹势元
申请人 :
尹势元
申请人地址 :
韩国京畿道水原市
代理机构 :
北京冠和权律师事务所
代理人 :
朱健
优先权 :
CN201710948326.0
主分类号 :
H01L21/673
IPC分类号 :
H01L21/673 H01L21/687 B65D85/86
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2022-05-10 :
授权
2018-09-21 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/673
申请日 : 20171012
申请日 : 20171012
2018-08-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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