电子元件的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种制造电子元件的方法，可以改善元件的耐久性而不会降低元件的最初性能。本发明的制造电子元件的方法包括：在第1电极上形成第1有机层的第1有机层形成步骤；和在第1有机层上形成第2有机层的第2有机层形成步骤，其中该方法还包括在第1有机层形成步骤之前加热第1电极的加热步骤，并且，该第1有机层形成步骤至少包括在该加热的第1电极上进行蒸镀以形成第1有机层的蒸镀步骤以及冷却该第1有机层的冷却步骤。
基本信息
专利标题 ：
电子元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832221A
申请号 ：
CN200610009206.6
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高谷格木村俊秀
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
陈昕
优先权 ：
CN200610009206.6
主分类号 ：
H01L51/40
IPC分类号 ：
H01L51/40 H01L51/48 H01L51/56 H01L51/00
法律状态
2017-03-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101710421604
IPC(主分类) : H01L 51/40
专利号 : ZL2006100092066
申请日 : 20060214
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20160214
号牌文件序号 : 101710421604
IPC(主分类) : H01L 51/40
专利号 : ZL2006100092066
申请日 : 20060214
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20160214
2009-07-29 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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